A Samsung confirmou que apresentará na CES 2026 dois novos componentes de alto desempenho que receberam o prêmio Innovation Awards da feira: sua primeira memória LPDDR6 e o SSD PM9E1 Gen5 em formato M.2 2242.
Memória LPDDR6
Fabricada em processo de 12 nm, a LPDDR6 atinge taxa de transferência de 10,7 Gbps, desempenho 11,5 % superior ao da LPDDR5X, hoje o modelo mais veloz do portfólio da empresa. Segundo a fabricante, o novo chip também consome cerca de 21 % menos energia.
O projeto inclui sistema de gerenciamento dinâmico de energia e recursos de segurança aprimorados, voltados a aplicações que exigem alta eficiência, como inteligência artificial, computação de borda e dispositivos móveis.
SSD PM9E1 Gen5
No segmento de armazenamento, a Samsung levará à feira o SSD PM9E1 Gen5, primeiro modelo PCIe 5.0 NVMe da marca em formato M.2 de 22 × 42 mm. Apesar do tamanho reduzido, a unidade alcança 14,8 GB/s em leitura e 13,4 GB/s em gravação, com capacidade de até 4 TB.
O drive utiliza o controlador Presto, desenvolvido internamente, combinado com memória V-NAND V8 TLC. A arquitetura inclui suporte ao protocolo de segurança SPDM 1.2 para autenticação de dispositivo e verificação de integridade de firmware.
Imagem: Internet
Os dois produtos serão exibidos ao público durante a CES 2026, que ocorre nos próximos meses em Las Vegas.
Com informações de Adrenaline
